Характеристики
IR2131PBFMOSFET & IGBT Gate Drivers, Three-Phase, Infineon
A range of full-bridge drivers designed to control MOSFET and IGBT power devices in 3-phase applications. The devices feature a maximum blocking voltage of 600 V and low-side control using CMOS and TTL compatible signal levels.Микросхемы / Драйверы и ключи / Драйверы MOSFET, IGBT
Корпус: 28-DIP, инфо: Драйверы верхнего x3 и нижнего x3 ключей. Тс =700мс , Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A