47

IRF3710SPBF, Транзистор, N-канал 100В 57А [D2-PAK]

Поставка электронных компонентов в Волгоград

53,00 руб.

x 53,00 = 53,00
Артикул: 1125884 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Волгоград уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней53,00руб.49,29руб.47,70руб.46,64руб.43,46руб.42,40руб.41,34руб.38,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней95,93руб.87,98руб.86,39руб.84,27руб.78,44руб.76,85руб.74,73руб.67,31руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней124,02руб.114,48руб.111,83руб.109,18руб.101,76руб.99,11руб.96,99руб.86,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней63,60руб.58,30руб.57,24руб.55,65руб.51,94руб.50,88руб.49,29руб.44,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней122,43руб.112,89руб.110,24руб.107,59руб.104,41руб.100,70руб.95,40руб.85,86руб.

Характеристики

IRF3710SPBF, Транзистор, N-канал 100В 57А [D2-PAK]The IRF3710SPBF from International Rectifier is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in D2-PAK package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.

• Drain to source voltage Vds is 100V
• Gate to source voltage is ±20V
• On resistance Rds(on) of 23mohm at Vgs of 10V
• Power dissipation Pd of 200W at 25 C
• Continuous drain current Id of 57A at Vgs 10V and 25 C
• Junction temperature range from -55 C to 175 C

Дополнительная информация

Корпус

d2pak
Структура

n-канал