Характеристики
Силовой IGBT модуль, 62 мм, полумост, технология IGBT4.
Особенности:
Увеличенная плотность мощности;
Изолированная базовая плата;
Предварительно нанесенный теплопроводящий материал TIM (Thermal Interface Material)
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В;
Номинальный ток при 25 C: 300 А;
Напряжение насыщения К-Э при 25 C: 1,75 В;
Технология: IGBT4;
Конфигурация: полумост;
Корпус: 62 мм